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LED照明技術(shù)熱點紛呈 納米級新材料有望成為光源
(時間:2015-9-22 9:35:08)

  我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)近幾年在產(chǎn)量、產(chǎn)值和技術(shù)指標(biāo)等方面均取得突破性發(fā)展。2014年,我國半導(dǎo)體照明光源、燈具的產(chǎn)值為950億元,同比增長43.9%。其中,LED照明產(chǎn)品出口為90億美元,同比增長50%,LED照明滲透率為20%。2015年上半年,LED照明產(chǎn)品同比約增長23%左右,1~5月份出口為40.8億美元,與去年同期相當(dāng)。
  從全球半導(dǎo)體照明的最新動態(tài)來看,全球LED器件光效實驗室水平已超過300lm/w,產(chǎn)業(yè)化水平達(dá)到150lm/w以上,LED整燈光效實驗室水平達(dá)200lm/w。美國SSL計劃目標(biāo)調(diào)整為器件光效產(chǎn)業(yè)化水平達(dá)250lm/w,LED整燈光效產(chǎn)業(yè)化水平達(dá)200lm/w。總之,LED照明產(chǎn)品的滲透率、光效等與理論值和目標(biāo)值還有很大差距,技術(shù)上還需要有較大突破。
  LED照明技術(shù)呈現(xiàn)八大趨勢
  LED照明技術(shù)涉及面很廣,是多學(xué)科技術(shù)與現(xiàn)代信息技術(shù)的結(jié)合,其發(fā)展呈現(xiàn)八大技術(shù)發(fā)展趨勢。
  一是提高LED照明整燈的能效
  LED整燈能效現(xiàn)階段由六部分組成:內(nèi)量子效率、芯片取光效率、封裝效率、熒光粉激發(fā)效率、燈具效率和電源效率。在一定邊界條件下理論值是58%,目前較好的燈具能效也只有30%多,還有很大推進(jìn)空間,上述六項均要達(dá)到90%以上才行,需要技術(shù)上有所突破。
  二是提高LED光源的光色質(zhì)量及顯色性表征值
  提高LED光源的光色質(zhì)量,要采用RGB多光譜組合,即多芯片組合或多基色熒光粉組合,達(dá)到合理的LED光譜量分布SPD,還要控制主要的光色參數(shù),如色容差、眩光、光電閃爍等。LED光源顯色性表征是個長期爭論的課題,LED光源可實現(xiàn)多光譜的靈活組合,采用任何一種參數(shù)的顯色性表征,都是有缺陷的,終極的表征可能是以光譜形式。還有專家提出采用色域指數(shù)(GAT)與CRI一起表征光對色彩的還原。
  三是LED照明燈具創(chuàng)新技術(shù)
  LED光源、燈具目前是LED照明產(chǎn)業(yè)的重中之重,技術(shù)上要加速燈具造型和控制功能的創(chuàng)新,具體是燈具外觀形狀創(chuàng)意、尺寸大小靈活、光量按需調(diào)節(jié)、光色靈活變化、安裝位置隨意等。
  四是深入開展智能照明的研發(fā)及應(yīng)用
  智能照明的技術(shù)特點包括開放式、分布式、遙控遙測、兼容性、互動性等,是照明技術(shù)和信息技術(shù)的深度融合。在技術(shù)上涉及面廣,關(guān)鍵技術(shù)有發(fā)光模組與驅(qū)動電源之間的界面整合等,目前亟須有統(tǒng)一的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),要根據(jù)實際需求進(jìn)行研發(fā)推廣應(yīng)用。
  五是大力拓展LED照明應(yīng)用領(lǐng)域
  推廣在非視覺照明系統(tǒng)的應(yīng)用,如醫(yī)療保健、生態(tài)農(nóng)業(yè)、LED可見光通信以及紅外LED和紫外LED的應(yīng)用,這方面內(nèi)容豐富,應(yīng)用技術(shù)正在快速發(fā)展中。LED顯示應(yīng)用技術(shù)重點開發(fā)高清小間距顯示屏和高清可彎曲顯示器技術(shù),實現(xiàn)高清LED電視和高清可折疊、可穿戴的顯示裝置。
  六是窄光譜LED器件的研究
  單個LED較窄光譜可實現(xiàn)組合LED光譜靈活性,可在LED顯示中實現(xiàn)更大的色域空間,是很大的應(yīng)用領(lǐng)域,實現(xiàn)窄光譜LED器件的技術(shù)要從材料外延上有所突破。
  七是白光LED器件將逐步轉(zhuǎn)向RGB組合方式
  采用RGB組合白光理論上具有更高的光效,并方便燈具調(diào)光、調(diào)色、調(diào)顯色性等,技術(shù)上要重點提升綠光LED光效,RGB組合有可能成為普通照明的主流。
  八是天然光照明將是終極目標(biāo)
  隨著LED多光譜照明的發(fā)展,人們將更重視節(jié)能照明、健康照明和生態(tài)照明,采用類似太陽光照明將是最佳選擇,即天然光照明,利用LED技術(shù)可以實現(xiàn),但要解決很多技術(shù)問題。
  LED照明技術(shù)有很大發(fā)展空間,還需要進(jìn)一步提高整燈的能效和光品質(zhì)。在應(yīng)用上積極推進(jìn)燈具創(chuàng)新的同時,要不斷拓展應(yīng)用領(lǐng)域,如智能照明、非視覺照明和高清顯示器;在技術(shù)上要實現(xiàn)終極目標(biāo),即天然光照明,為人們提供節(jié)能、健康、舒適的照明環(huán)境。
  納米級發(fā)光新材料技術(shù)發(fā)展動態(tài)
  現(xiàn)階段三類納米級發(fā)光新材料的技術(shù)發(fā)展動態(tài),也許是未來照明的光源。
  量子點發(fā)光技術(shù)
  量子點發(fā)光技術(shù)近年來發(fā)展很快,是發(fā)光領(lǐng)域中的新技術(shù)路線。
  量子點LED:量子點(QD)是用納米技術(shù)制作,QD顆粒一般在2nm~12nm之間,量子點發(fā)光體由發(fā)光核、半導(dǎo)體殼、有機(jī)配位體組成,如發(fā)光核CdSe(硒化鎘)QD顆粒,其優(yōu)點是:可發(fā)射可見光至紅外,發(fā)光穩(wěn)定,內(nèi)量子效率可達(dá)90%,與LED結(jié)合產(chǎn)生色彩豐富、十分明亮的暖白光。
  3D打印QD-LED:普林斯頓大學(xué)首次展示3D打印量子點LED,其底層是由納米銀顆粒構(gòu)成,頂部是兩個聚合物為銦鎵,量子點是納米級硒化鎘顆粒,外殼是硫化鋅包裹,上下電極連接后,硒化鎘納米顆粒發(fā)出不同的可見光,將QD-LED打印到具有曲線形表面的裝置上,如接觸透鏡。該技術(shù)將擴(kuò)大到3D打印其他的有源器件,如MEMS、晶體管、太陽能電池等。一旦產(chǎn)業(yè)化將是顛覆性創(chuàng)新技術(shù)。
  紫外光(UV)QD-LED:美國圣母大學(xué)正在開發(fā)氮化鎵QD,其電子空穴通過隧道貫穿(電子穿透墊壘的現(xiàn)象),不是傳統(tǒng)的漂移擴(kuò)散?砂l(fā)紫外光(UV)的LED,取得很大進(jìn)展,有詳細(xì)的文章報導(dǎo)。
  量子點混合LED:日本廣島大學(xué)研究量子點無機(jī)/有機(jī)混合發(fā)光二極管,可發(fā)出白光、藍(lán)光,電源電壓6V,有效發(fā)光量的78%來自硅量子點,提高輸出功率密度350倍。新型LED在常溫常壓下通過溶液加工過程,號稱是照明系統(tǒng)上一場新的革命。
  量子點電激發(fā)藍(lán)光LED:臺東大學(xué)與遠(yuǎn)東科大合作研究,以膠體量子點硫化鎘、硫化鋅制作出電激發(fā)藍(lán)光二極管,以類似有機(jī)的無機(jī)材料做出來,可靠性高,可取代OLED在平板上的應(yīng)用。
  量子點背光技術(shù):嵌入量子點背光源,采用嵌入量子點的光學(xué)薄膜(QDEF)應(yīng)用于LCD背光源,量子點在藍(lán)光LED背光的照射下,發(fā)出紅光、綠光形成RGB白光。提高LED發(fā)光效率,提升LCD色彩飽和度,將LCD色域提升30%,也增加背光亮度,降低能耗,并已產(chǎn)業(yè)化。預(yù)計這種彩電2015年生產(chǎn)130萬臺,2018年達(dá)1870萬臺。
  第二代量子點顯示技術(shù):浙大兩個研究小組合作開發(fā),將量子點放入溶液中,具有晶體和溶液的雙重性能,原理上讓電子減緩“步伐”,促使電子與空穴有效相會復(fù)合,大大提升量子點LED效率、性能和穩(wěn)定性,發(fā)光量子效率可達(dá)100%,RGB彩色豐富。應(yīng)用于顯示和照明上取得突破。
  石墨烯發(fā)光技術(shù)
  發(fā)現(xiàn)石墨烯發(fā)光是個新的突破,另外可在石墨烯襯底上生長第三代半導(dǎo)體。
  石墨烯發(fā)光燈泡:哥倫比亞大學(xué)和首爾大學(xué)等單位合作研究,將石墨烯微細(xì)絲附加在金屬電極上,兩邊為SiO2,懸掛在硅襯底的方式。通電流加熱至超過2500℃,從而發(fā)明亮的光,石墨烯的溫度不會傳給襯底。利用發(fā)光長細(xì)絲與硅基板的反彈干涉,可調(diào)整所發(fā)射的光譜,號稱是世界上最薄燈泡,并可應(yīng)用于光通信。該技術(shù)如產(chǎn)業(yè)化將是照明領(lǐng)域的顛覆性創(chuàng)新。
  石墨烯LED:清華大學(xué)近期發(fā)布采用二種石墨烯,即氧化石墨烯(GO)和還原石墨烯(rGO)混合組成LED,隨著外加電壓的變化,可改變發(fā)光波長,這二種界面存在一系列離散的能級,可在發(fā)光、傳感器、柔性顯示上應(yīng)用。
  SiC+石墨烯+GaN薄膜:在SiC圓片上將硅汽化,并將留下的石墨烯薄膜穩(wěn)妥地轉(zhuǎn)移至硅基板上,在此石墨烯襯底上采用直接凡德瓦外延法,生長高質(zhì)量單晶GaN薄膜,將大幅度降低半導(dǎo)體組件成本。IBM近期宣稱,已掌握這些技術(shù),將在5年內(nèi)投資30億美元,發(fā)展在石墨烯襯底上生長高頻晶體管、光探測器、生物傳感器以及“后Si時代”組件,首先大幅度降低GaN藍(lán)光成本。
  玻璃基板+石墨烯+濺射GaN:東京大學(xué)藤網(wǎng)洋研究團(tuán)隊發(fā)表在玻璃基板上轉(zhuǎn)印石墨烯多層膜,并在膜上用脈沖濺射法(PSD)形成GaN(AlN+n-GaN+GaN與InGaN多層結(jié)構(gòu)多量子阱MQWs+P-GaN)。其優(yōu)點:生長GaN品質(zhì)大幅度提升,可制作RGB三原色組合LED,大幅度降低成本。還可制作GaN構(gòu)成的高遷移晶體管(HEMT),該技術(shù)路線如果獲得產(chǎn)業(yè)化,將是顛覆性的創(chuàng)新。
  Si+石墨烯+分子束外延GaN:西班牙Graphenea公司宣布,與日本立命館大學(xué)、麻省理工大學(xué)、首爾大學(xué)、韓國東國大學(xué)合作用普通化學(xué)氣相沉積法(CVD)在銅箔上形成石墨烯,直接轉(zhuǎn)印在硅基板上,然后在石墨烯上采用射頻等離子輔助分子束外延法(RF-MBE)生長GaN晶體,具有六角形對稱性是沿C軸向生長,是從Si(100)面上生長的GaN晶體,實現(xiàn)了最高品質(zhì)。
  上述三種石墨烯襯底上生長高質(zhì)量GaN技術(shù),均不采用MOCVD設(shè)備,生長效率高、成本低、質(zhì)量高,除了應(yīng)用于發(fā)光、激光之外,均可發(fā)展第三代寬禁帶半導(dǎo)體,這將是顛覆性的創(chuàng)新技術(shù)。
  納米發(fā)光技術(shù)
  納米發(fā)光的結(jié)構(gòu)形式是多樣的,這里介紹幾種典型的納米發(fā)光結(jié)構(gòu)形態(tài)。
  納米線型LED:波爾研究所研究納米線型LED,其納米線的核是GaN材料,長度約2微米,直徑約10~500納米,外圍材料是InGaN。二極管中的光是由兩種材料間的機(jī)械張力決定的,這種納米線是可以使用更少的能量提供更高的亮度,更節(jié)能,可用于手機(jī)、電視以及很多形式的燈光,號稱將改變未來照明世界。
  超薄非結(jié)晶電介質(zhì)膜發(fā)光材料:美國德州農(nóng)機(jī)大學(xué)開發(fā)一種發(fā)光芯片,采用在硅晶圓上進(jìn)行室溫濺射沉積方法制成電介質(zhì)膜,其中有納米晶層,可提升發(fā)光密度,在工藝中可與硅IC兼容,工藝簡單,是新的納米發(fā)光材料。 
  3D打印“光紙”:美國德州Rohinni公司利用3D打印光紙(Light paper),將油墨與微型LED混合印在半導(dǎo)體層上,并夾在另外兩層材料之間,微型LED只有紅血球大小,當(dāng)電子通過微型LED時點亮光紙,號稱世界最薄LED燈。
  最薄LED:華盛頓大學(xué)研究人員宣布,已開發(fā)全球最薄LED,厚度相當(dāng)于3個原子,這種可折疊的LED,未來用于便攜式、可靈活穿戴的設(shè)備。
  超高速LED:美國杜克大學(xué)研究通過金屬納米立方體和黃金膜之間添加熒光分子,實現(xiàn)高速LED,制造75個銀納米立方體,并困住其內(nèi)的光,增加光的強(qiáng)度,通過“珀塞爾效應(yīng)”強(qiáng)化加快,熒光分子發(fā)射光子速度是傳統(tǒng)LED的1000倍,還可作為量子密碼系統(tǒng)的單光子源,支持安全光通信。
  接近太陽光的LED:意大利InSubria大學(xué)采用納米顆粒面板對白光LED光源進(jìn)行散射,得到與太陽光接近的燈光,利用雷利散射原理,使白光LED陣列擴(kuò)散成“藍(lán)天”效果,或微黃色斑點模擬太陽光,已有產(chǎn)品,效果好,可極大提升光色品質(zhì)。
  超清可彎曲顯示屏技術(shù):采用納米技術(shù)制作相變材料PCM,可處二種狀態(tài)所謂GST,晶體態(tài)和玻璃態(tài),這種GST在電流脈沖下,晶體玻璃態(tài)循環(huán)可超過100萬次/秒。三層材料結(jié)構(gòu):即導(dǎo)電玻璃+GST+導(dǎo)電玻璃,每層都僅有幾個納米厚,該技術(shù)可能生產(chǎn)出超薄、超高速、低能耗、高清、可折疊的彩色顯示屏。
  其他發(fā)光材料
  發(fā)白光的激光器:美國亞利桑那大學(xué)研制一種可發(fā)R、G、B的激光器,混合成為白光,也可用于光通信,比普通LED快10~100倍。
  中村修二采用不同技術(shù)路線,提出激光照明為第三代照明。
  磷烯發(fā)光材料:澳洲國立大學(xué)發(fā)現(xiàn)磷薄層發(fā)光特性,可作PV與LED。
  有機(jī)發(fā)光二極管(OLED):已進(jìn)入平面照明領(lǐng)域,有人預(yù)測,將來會占照明領(lǐng)域的四分之一。
  鈣鈦礦LED:劍橋大學(xué)、牛津大學(xué)等聯(lián)合開發(fā)鈣鈦LED,工藝簡單、成本低,宣稱5年后這種LED可產(chǎn)業(yè)化。
  納米級發(fā)光新材料技術(shù)近年來取得很大進(jìn)展,尤其是量子點發(fā)光、石墨烯發(fā)光和納米發(fā)光等技術(shù),均具有開拓性和顛覆性的創(chuàng)新技術(shù),可能是未來照明的新光源,要引起我們業(yè)內(nèi)的高度重視。
  石墨烯襯底上生長高質(zhì)量的晶體,除了應(yīng)用于發(fā)光和激光外,將極大推動第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展,為研制“后硅時代”高性能組件提供支撐。

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